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 BASiC基本半导体碳化硅SiC功率MOSFE,BASiC基本半导体碳化硅MOSFET模块,BASiC基本半导体单管IGBT,BASiC基本半导体IGBT模块,BASiC基本半导体三电平IGBT模块,BASiC基本半导体I型三电平IGBT模块,BASiC基本半导体T型三电平IGBT模块,BASiC基本半导体混合SiC-IGBT单管,BASiC基本半导体混合SiC-IGBT模块,BASiC基本半导体混合SiC-IGBT三电平模块应用于光伏逆变器,双向AC-DC电源,户用光伏逆变器,户用光储一体机,储能变流器,储能PCS,双向LLC电源模块,储能PCS-Buck-Boost电路,光储一体机,PCS双向变流器,三相维也纳PFC电路,三电平LLC直流变换器,移相全桥拓扑等新能源领域。
 
基本半导体全碳化硅MOSFET模块,Full SiC Module,SiC MOSFET模块适用于超级充电桩,V2G充电桩,高压柔性直流输电智能电网(HVDC),空调热泵驱动,机车辅助电源,储能变流器PCS,光伏逆变器,超高频逆变焊机,超高频伺服驱动器,高速电机变频器,MRI医疗电源等. 光伏逆变器专用对称拓扑和飞跨电容拓扑直流升压模块BOOST Module-光伏MPPT,PV Inverter交流双拼 ANPC 拓扑逆变模块。
 
现代尖端电力电子设备性能升级需要提升系统功率密度、使用更高的主开关频率。而现有硅基IGBT配合... [详细介绍]
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